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FDN360P
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9
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IRFML8244TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):22V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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IRFR9024NTRTBF
场效应管(MOSFET) :TO-252类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8.8A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML5203
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML5203TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML6244TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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IRLML6401TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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IRLML6402TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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NDS331N
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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SI2300
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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SI2301
场效应管(MOSFET) :SOT-23-3L类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id
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SI2302
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4
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SI2305
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6
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SI2306
场效应管(MOSFET) :SOT-23-3L类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,
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SI2324
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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SI2343
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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WNM4002-3/TR
场效应管(MOSFET) :SOT-523类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,I
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WPM2341-3
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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贴片开关二极管 计算机专用 品质优良
常用贴片开关二极管型号:IN4148W SOD-123、IN4148WS SOD-323、IN4148WT SOD-523、1SS355 SOD-323、1SSS26 SOT-23、BAS16 SOT-23
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贴片三极管批发 物联网专用_量大从优
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