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AO3401
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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AO3402
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3
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AO3406
场效应管(MOSFET) :SOT-23-3L类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.5A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,
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BSS123
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):150mA 功率(Pd):250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,I
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BSS138
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id
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BSS84
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id
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DMP3099L-7
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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FDN360P
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9
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IRFML8244TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):22V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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IRFR9024NTRTBF
场效应管(MOSFET) :TO-252类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8.8A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML5203
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML5203TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
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IRLML6244TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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IRLML6401TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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IRLML6402TRPBF
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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NDS331N
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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SI2300
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A
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SI2301
场效应管(MOSFET) :SOT-23-3L类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id
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SI2302
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4
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SI2324
场效应管(MOSFET) :SOT-23类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
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