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企业名片| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | IGBT 模块 | |
| 产品: | IGBT Silicon Modules | |
| 配置: | Dual | |
| 集电极—发射极**电压 VCEO: | 1200 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.15 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 75 A | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA | |
| Pd-功率耗散: | 395 W | |
| 最小工作温度: | - 40 C | |
| **工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Tray | |
| 技术: | Si | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 安装风格: | Chassis Mount | |
| 栅极/发射极**电压: | 20 V | |
| 产品类型: | IGBT Modules |
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