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制造商: | Infineon | |
产品种类: | IGBT 模块 | |
RoHS: | 详细信息 | |
产品: | IGBT Silicon Modules | |
集电极—发射极**电压 VCEO: | 1200 V | |
集电极—射极饱和电压: | 2 V | |
栅极—射极漏泄电流: | 100 nA | |
Pd-功率耗散: | 555 W | |
最小工作温度: | - 40 C | |
**工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tray | |
技术: | Si | |
商标: | Infineon Technologies | |
栅极/发射极**电压: | 20 V | |
产品类型: | IGBT Modules |
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