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| 类别: | RF 场效应晶体管 |
| 制造商： | NXP Semiconductors | 最小包装量： | 250 |
|---|---|---|---|
| 封装： | 包装： | ||
| 类别： | RF 场效应晶体管 | 无铅情况/RoHS： | 符合 |
| 产品描述： | Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 860 MHz, 300 W, 32 V | ||
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 857MHz |
| 增益 | 20.4dB |
| 电压 - 测试 | 32V |
| 额定电流 | 10µA |
| 电流 - 测试 | 1.6A |
| 功率 - 输出 | 270W |
| 电压 - 额定 | 66V |
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