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CSRA67065DA01-CQQH-T,射频收发器,现货供应
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封装: | SO-8 |
类别: | FET - 阵列 |
制造商: | Diodes Inc | 最小包装量: | 2500 |
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封装: | SO-8 | 包装: | Tape&Reel |
类别: | FET - 阵列 | 无铅情况/RoHS: | 符合 |
产品描述: | 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
参数 | 数值 |
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FET 类型 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET 功能 | Logic Level Gate |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A, 4.2A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 25 mOhm @ 5A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11.7nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 590pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
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