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描述
CS4N65A3R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-251,符合RoHS标准。
特征
快速切换
低导通电阻(Rdson≤2.8Ω)
低栅极电荷(典型数据:14.5nC)
低反向传输电容(典型值:3.5pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
无卤素
应用
适配器和充电器的电源开关电路。
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