描述
CS4N65A4HDY，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
特征
快速切换
ESD改进能力
低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
低反向转移电容（典型值：8.5pF）
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。
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