友顺-UTC N沟道功率MOSFET

友顺-UTC N沟道功率MOSFET：

UF640L-TA3-T TO-220——18A, 200V, 0.18OHM

描述

这类N通道功率MOSFET场效应晶体管具有低导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度、线性传递特性，因此可用于各种功率转换应用。UF640L-TA3-T适用于谐振和PWM变换器拓扑结构。

特性

* R_DS（ON） < 0.18Ω @ V_GS = 10V, I_D = 10A

*超低门电荷(典型的43nC)

*低反向传输电容(C_RSS =典型的100 pF)

*快速切换能力

*指定雪崩能量

*提高dv/dt性能，高坚固性

典型

4N90CL-TF3-T TO-220F——4.0A，900V

描述

UTC 4N90CL-TF3-T是一种功率MOSFET结构，具有开关时间快、栅电荷低、导通电阻低、抗雪崩特性好等特点。这种功率MOSFET通常用于电力应用中的DC-DC，AC-DC变换器.

特性

*RDS(ON)<4.5Ω@VGS=10V，ID=2.0A*高速开关

*100%雪崩试验

典型

2N150L-T3F-T TO-3PF——2.0A, 1500V

描述

UTC 2N150L-T3F-T提供的R_DS(ON)，低门充电和低门电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。

特性

* R_DS(ON)≤13 Ω @ V_GS = 10v, I_D = 1.0A

*低反向传输电容

*快速切换能力

*指定雪崩能量

*改进的dv/dt能力，高坚固性

典型

4N150L-T3F-T TO-3PF——4.0A, 1500V

描述

UTC 4N150L-T3F-T是一种高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻，并具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和电桥的高速开关应用电路。

特性

* R_DS(ON)≤6.5 Ω @ V_GS = 10V, I_D = 2.0A

*高切换速度

* 100%雪崩测试

典型

14N65L-TF3-T TO-220F——14A, 650V

描述

UTC 14N65L-TF3-T是一种高压功率MOSFET，结合了先进的沟槽MOSFET，设计具有更好的特性，如开关时间快，栅极电荷低，低抗开态和高崎岖的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。

特性

*  R_DS(ON)≤0.65 Ω @ V_GS = 10V , I_D = 7.0A

*快速切换能力

*雪崩能量测试

*提高dv/dt性能，高坚固性

典型

18N65L-TF3-T TO-220F——18A, 650V

描述

UTC 18N65L-TF3-T 是一种高压功率MOSFET，结合了先进的沟槽MOSFET，具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻和高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。

特性

* R_DS(ON)≤0.43 Ω @ V_GS = 10v,I_D= 9.0A

*快速切换能力

*雪崩能量测试

*提高dv/dt性能，高坚固性

典型

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