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| 封装: | SOIC-8 |
| 类别: | FET - 阵列 |
| 制造商： | Diodes Inc | 最小包装量： | 2500 |
|---|---|---|---|
| 封装： | SOIC-8 | 包装： | Tape&Reel |
| 类别： | FET - 阵列 | 无铅情况/RoHS： | 符合 |
| 产品描述： | 30V Complementary | ||
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 767pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16.1nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 21 mOhm @ 7A, 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.5A, 7A |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| - | - |
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