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BSC066N06NS & BSC160N15NS5
英飞凌20V-300V N通道功率
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FET BSC066N06NS BSC160N15NS5BSC066N06NS描述BSC066N06NS针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行
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英飞凌100V Opti
MOS
5功率晶体管BSC0805LS
英飞凌100V Opti
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5功率晶体管BSC0805LS描述BSC0805LS是英飞凌针对USB-PD和适配器应用的产品组合。该产品提供快速生产和优化的
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HJ44H11L & HJ45H11L
友顺-UTC NPN外延平面晶体管HJ44H11LHJ45H11L描述UTC HJ45H11L/HJ44H11L专为各种特定和通用应用而设计,例如:工作频率从DC到大于
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友顺-UTC N沟道功率
MOS
FET
友顺-UTCN沟道功率
MOS
FET:UF640L-TA3-TTO-220——18A, 200V, 0.18OHM描述这类N通道功率
MOS
FET场效应晶体管具有低导功率损耗、高
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新洁能500-800V N通道SJ-III
MOS
FET
NCE65T180F NCE65T260F NCE70T680F NCE65T540K NCE65T680F NCE70T360K描述以上元器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计,以低栅电
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新洁能500-800V N通道场效应管 NCE3018AS
描述NCE3018AS采用先进的沟槽技术和设计,以较低的栅极电荷提供优良的RDS(ON),它可以用于各种各样的应用。总体特点VDS = 30v,
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新洁能12-150V P通道MOC NCE60P25K
描述NCE60P25K采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。该器件非常适用于大电流负载应用。总体特点l VDS = -60V
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新洁能12-200V N沟道
MOS
FET
NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2以上系列型号是新洁能12-200V N沟道
MOS
FET描述采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供
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新洁能12-200V N沟道
MOS
NCE6003Y/XY
描述NCE6003Y/XY采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷。该装置适用于电池保护或其他开关应用。总体特点●高功率和高
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新洁能12-200V N沟道
MOS
FET NCE6080A
描述NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。总体特点●VDS = 60V, ID = 8
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