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制造商: | Infineon | |
产品种类: | IGBT 模块 | |
RoHS: | N | |
产品: | IGBT Silicon Modules | |
配置: | Half Bridge | |
集电极—发射极**电压 VCEO: | 1200 V | |
集电极—射极饱和电压: | 2.5 V | |
在25 C的连续集电极电流: | 145 A | |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | |
Pd-功率耗散: | 700 W | |
封装 / 箱体: | Half Bridge1 | |
最小工作温度: | - 40 C | |
**工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tray | |
高度: | 30.5 mm | |
长度: | 94 mm | |
技术: | Si | |
宽度: | 34 mm | |
商标: | Infineon Technologies | |
安装风格: | Chassis Mount | |
栅极/发射极**电压: | 20 V | |
产品类型: | IGBT Modules | |
工厂包装数量: | 10 | |
子类别: | IGBTs | |
零件号别名: | BSM100GB120DN2KHOSA1 SP000101733 BSM100GB120DN2KHOSA1 |
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